A Schottky junction is a special case of a p–n junction, where metal serves the role of the n-type semiconductor.

For example, a common type of transistor, the bipolar junction transistor, consists of two p–n junctions in series, in the form n–p–n or p–n–p while a diode can be made from a single p-n junction.

p–n junctions are elementary 'building blocks' of semiconductor electronic devices such as diodes, transistors, solar cells, LEDs, and integrated circuits they are the active sites where the electronic action of the device takes place. If two separate pieces of material were used, this would introduce a grain boundary between the semiconductors that would severely inhibit its utility by scattering the electrons and holes. The p-n junction is created by doping, for example by ion implantation, diffusion of dopants, or by epitaxy (growing a layer of crystal doped with one type of dopant on top of a layer of crystal doped with another type of dopant). This allows electrical current to pass through the junction only in one direction. The 'p' (positive) side contains an excess of holes, while the 'n' (negative) side contains an excess of electrons in the outer shells of the electrically neutral atoms there. A p–n junction is a boundary or interface between two types of semiconductor materials, p-type and n-type, inside a single crystal of semiconductor.Es la base del funcionamiento de la energía solar fotovoltaica. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algún otro metal o compuesto químico.

Está formada por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque también se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores.En elektro, 'junto' estas kunigo de diversspecaj duonkonduktantoj: pn-junto (p =pozitivaregiono, n = negativa regiono) formas diodon duo da juntoj npn aŭ pnp farastransistoron.Die Besonderheit des p-n-Übergangs ist die Ausbildung einer Raumladungszone (auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt), die beim Anlegen einer äußeren Spannung Stromfluss nur in einer Richtung zulässt.So wirkt ein p-n-Übergang wie ein „Stromventil“, welches beispielsweise bei Einkristall-Halbleiterdioden eingesetzt wird und angelegten Strom sperrt (Sperrzustand) oder durchlässt (Durchlasszustand). Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen der Halbleitertechnik vor. Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.Schottkyho dioda používá speciální případ PN přechodu, kde polovodič typu P je nahrazen kovem. V roce 1941 popsal sovětský fyzik objev PN přechodu na materiálu Cu2O a sulfidu stříbrném u fotobuňky a u selenových usměrňovačů. Objev PN přechodu učinil v roce 1939 americký fyzik v Bellových laboratořích. PN přechod propouští elektrický proud pouze jedním směrem a je základem polovodičových součástek jako jsou diody a tranzistory, fotovoltaické články, svítivé LED a integrované obvody. PN přechod je rozhraní polovodiče typu P a polovodiče typu N.

Silicio tipo p